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非晶退火炉

2021-06-29 17:04:08
详细介绍:

非晶退火炉


半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后需要把半导体放在某个的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和去掉缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。

 

工件在加热的过程中,把炉体前移,炉体为加热体,加热完成后,炉体后移,露出炉胆,快速冷即工件。也可以自备风机,鼓风加快冷即速度,炉胆口炉胆口有一个固定手拉式密封炉门,炉胆口做有水循环冷即,保护炉门硅胶盘根,抽真空与进气管道分布在炉胆口位置,具体操作按用户要求设计真空度。

 


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